Aquisição de imagem por microscopia eletrónica de varrimento (SEM)

SEM com detetor de eletrões retrodifundidos (de tipo anular, cristal YAGi), detetor de eletrões secundários (Everhart-Thornley, cristal YAG), sensor de current (pA) e EDS.

Ótica:

1. Fonte de eletrões: filamento de W (cartridge)
2. Voltagem: 200 V - 30 kV
3. Ampliação: 4.5 - 1.000.000X
4. Resolução: 3 nm @ 30 kV, 8 nm @ 3 kV
5. Campo: 7.7 mm @ 10 mm WD, 24 mm @ 30 mm WD
6. Corrente: 1 pA - 2 μA

Modos: Alta resolução, Profundidade, Campo, Campo Largo, Electron Channeling

Vácuo:

1. Pressão de trabalho : < 9x10-3 Pa (só é possível o modo de alto vácuo)
2. Tempo de evacuação: < 3 min

Câmara:

1. Montagem de amostra do tipo “euccentric” ; o porta-amostra aceita 4 "stubs" standard de alumínio
2. Axis: X = 45mm – motorised, Y = 45mm - motorised, Z = 27mm manual, Z’ = 6mm manual
3. Rotação: 360º
4. Inclinação: +90o e -90o
5. Altura máxima da amostrat: 36mm

Nota: este instrumento funciona apenas no modo de alto vácuo; amostras não condutoras devem ser revestidas com uma fina camada metálica antes de serem examinadas para evitar a acumulação de carga. Um sputter/coater está disponível no local para realizar tal revestimento.